Tous les produits
-
DavidBonne société avec le service gentil et la réputation de haute qualité et élevée. Un de notre fournisseur digne de confiance, des marchandises sont livrés à temps et le paquet gentil. -
John MorrisLes experts matériels, traitement rigoureux, la découverte opportune de problèmes dans des dessins d'étude et communication avec nous, le service réfléchi, le prix raisonnable et la bonne qualité, je crois que nous aurons plus de coopération. -
JorgeMerci de votre bon service après-vente. L'excellents expertise et support technique m'ont aidé beaucoup. -
PETRApar la communication très bonne tous les problèmes résolus, satisfait avec mon achat -
Adrian HayterLes marchandises ont acheté cette fois sont très satisfaisantes, la qualité est très bonne, et la préparation de surface est très bonne. Je crois que nous commanderons le prochain ordre bientôt.
Personne à contacter :
Nicole
Numéro de téléphone :
13186382597
whatsapp :
+8613186382597
cibles de pulvérisation de molybdène de 20mm pour les produits de molybdène de disque de molybdène de cible de molybdène d'industrie de semi-conducteur
Contactez-moi pour des aperçus gratuits et des bons.
whatsapp:0086 18588475571
Wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
Si vous avez n'importe quel souci, nous fournissons l'aide en ligne de 24 heures.
xDétails sur le produit
| nom | Cibles de pulvérisation de molybdène pour l'industrie de semi-conducteur | Matériel | Molybdène et alliage de molybdène |
|---|---|---|---|
| Pureté | 99,95% | Densité | 10.2g/cm3 |
| Épaisseur | <20mm> | Diamètre | <300mm> |
| Surface | Poli | Norme | ASTM B386 |
| Mettre en évidence | cibles de pulvérisation de molybdène de 20mm,Cibles polies de pulvérisation de molybdène,pulvérisation du molybdène 99 |
||
Description de produit
Cibles de pulvérisation de molybdène pour l'industrie de semi-conducteur
1. Description des cibles de pulvérisation de molybdène pour l'industrie de semi-conducteur :
Le molybdène est un métal réfractaire souple avec des qualités mécaniques exceptionnelles, un bas coefficient d'expansion, la conduction thermique forte, et la conductivité électrique particulièrement élevée à températures élevées. Il y a de nombreuses combinaisons qui peuvent être employées en tant que cibles de pulvérisation, y compris les cibles pures de molybdène, les cibles titaniques de molybdène, les cibles de tantale de molybdène, et les cibles d'alliage de molybdène (telles que le plat de TZM).
Les matériaux ont employé pour des semi-conducteurs incluent les cibles pures en métal telles que le tungstène, le molybdène, le niobium, le titane, et le silicium, en plus aux substances comme des oxydes ou des nitrures. Aussi crucial comme paramètres d'emploi de dépôt que les ingénieurs et les scientifiques parfaits dans tout le processus de revêtement sont la procédure de sélection matérielle.
2. Taille des cibles de pulvérisation de molybdène pour l'industrie de semi-conducteur :
Épaisseur : <20mm>
Diamètre : <300mm>
Surface : Poli
Norme : ASTM B386
L'autre taille peut être traitée selon le dessin du client.
3. Contenu chimique des cibles de pulvérisation de molybdène pour l'industrie de semi-conducteur :
| Analyse quantitative | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Élément | Ni | Magnésium | Fe | Pb | Al | Bi | SI | Cd | Ca | P | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Concentration (%) | 0,003 | 0,002 | 0,005 | 0,0001 | 0,002 | 0,0001 | 0,002 | 0,0001 | 0,002 | 0,001 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Élément | C | O | N | Sb | Sn | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Concentration (%) | 0,01 | 0,003 | 0,003 | 0,0005 | 0,0001 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pureté (socle métallique) MOIS ≥99.95% | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
4. Propriétés physiques et mécaniques des cibles de pulvérisation de molybdène pour l'industrie de semi-conducteur :
| Propriétés | Molybdène pur | Molybdène enduit | Alliage à hautes températures de molybdène | ||
| Coefficient atomique | 42 | ||||
| Poids atomique (m) | 95,95 | ||||
| Constante de trellis (a) | cube centré par corps | 3,14' 10-10 | |||
| Densité (r) | 10.2g/cm3 | ||||
| Point de fusion (t) | 2620±10℃ | ||||
| Point d'ébullition (t) | 4800℃ | ||||
| Coefficient linéaire d'expansion (a1) | 20℃ | 5,3' 10-6/K | 5,3' 10-6/K | 5,3' 10-6/K | |
| 20-1000℃ | 5,8' 10-6/K | 5,8' 10-6/K | 5,8' 10-6/K | ||
| 20-1500℃ | 6,5' 10-6/K | 6,5' 10-6/K | 6,5' 10-6/K | ||
| La chaleur spécifique (u) | 20℃ | 0.25J/g·K | 0.25J/g·K | 0.25J/g·K | |
| 1000℃ | 0.31J/g·K | 0.31J/g·K | 0.31J/g·K | ||
| 2000℃ | 0.44J/g·K | 0.44J/g·K | 0.44J/g·K | ||
| Conduction thermique (l) | 20℃ | 142 W/m·K | 142 W/m·K | 126 W/m·K | |
| 1000℃ | 105 W/m·K | 105 W/m·K | 98 W/m·K | ||
| 1500℃ | 88 W/m·K | 88 W/m·K | 86 W/m·K | ||
| Résistivité (r) | 20℃ | 0.052mWm | 0.065mWm | 0.055mWm | |
| 1000℃ | 0.27mWm | 0.28mWm | 0.31mWm | ||
| 1500℃ | 0.43mWm | 0.43mWm | 0.45mWm | ||
| 2000℃ | 0.60mWm | 0.63mWm | 0.66mWm | ||
| Énergie rayonnante | 730℃ | 5500.0W/m2 | |||
| 1330℃ | 6300.0W/m2 | ||||
| 1730℃ | 19200.0W/m2 | ||||
| 2330℃ | 700000.0W/m2 | ||||
| Section transversale thermique d'absorption de neutrons | 2,7' 10-28m2 | 2,7' 10-28m2 | 2,7' 10-28m2 | ||
| Résistance à la traction (Sb) | plat de 0.10-8.00mm | 590~785MPa | 450~520MPa | 690~1130MPa | |
| fil f0.80 | 1020MPa | 1570MPa | |||
| Limite conventionnelle d'élasticité (S0.2) | plat de 0.10-8.00mm | 540~620MPa | 290~360MPa | 620~1000MPa | |
| Élongation (%) | plat de 0.10-8.00mm | 3~17 | 15~75 | 2~8 | |
| fil f0.80 | 1,5 | 2 | |||
| Module élastique (E) | 20℃ | 320GPa | 320GPa | 320GPa | |
| 1000℃ | 270GPa | 270GPa | 270GPa | ||
| Dureté (HV10) | Plat de déformation de <70% | 200~280 | 240~340 | ||
| Plat de déformation de >70% | 260~360 | 300~450 | |||
| Plat recristallisé | 140~160 | 170~190 | <200 | ||
| la température de transition Plastique-fragile (T) | -40~40℃ | ||||
| La température initiale de recristallisation (T) | le plat 1h de >90%Deformation a recuit | 900℃ | 1400℃ | 1250℃ | |
| la température finale de recristallisation (T) | Recuit par 1 | 1200℃ | 1700℃ | 1600℃ | |
5. caractéristiques des cibles de pulvérisation de molybdène pour l'industrie de semi-conducteur :
Le revêtement pulvérisé adhère aux techniques que conventionnelles meilleures de dépôt de substrat, et les matériaux avec les températures très de fusion élevée, comme le molybdène et le tungstène, sont très simples pour pulvériser. En plus, tandis que l'évaporation peut seulement être faite du fond pour compléter, la pulvérisation peut être faite de deux manières.
Les cibles de pulvérisation sont fréquemment arrondies ou rectangulaires, bien qu'il y ait également des options carrées et triangulaires disponibles. Le substrat est l'article qui doit être enduit, et il pourrait être quelque chose des piles solaires aux composants optiques aux gaufrettes de semi-conducteur. Le revêtement s'étend typiquement dans l'épaisseur des angströms aux microns. La membrane peut se composer d'un matériel simple ou de plusieurs matériaux empilés dans les couches.
Grandes à propriétés de pureté, à haute densité, fines, et cohérentes de grain sont présentes dans des cibles de pulvérisation de molybdène, ayant pour résultat l'efficacité extrêmement élevée de pulvérisation, l'épaisseur de film homogène, et une surface de gravure à l'eau-forte propre dans tout le processus de pulvérisation.
Cliquez sur svp au-dessous du bouton pour pour apprendre davantage nos produits.
produits recommandés
-
VIDEO VIDEO
-